পরীক্ষণ পদার্থবিজ্ঞান বিভাগ
সেবা প্রদান প্রতিশ্রুতি (Citizen's Charter)
দুদকে অভিযোগ করতে দুদকে স্থাপিত হট লাইন, ১০৬ (টোল ফ্রি)-তে কল করা যেতে পারে।
ভূমিকা
পরীক্ষণ পদার্থ বিজ্ঞান বিভাগ (ইপিডি) বিজ্ঞান ও প্রযুক্তির মৌলিক ও প্রায়োগিক ক্ষেত্রে গবেষণা ও উন্নয়ন মূলক কর্মকান্ডের সঙ্গে জড়িত। দেশের সৌর প্রযুক্তির উন্নয়ন কার্যক্রম খুবই অপ্রতুল। প্রযুক্তি, বিশেষ করে ডিভাইস গ্রেড প্রযুক্তি স্থানীয় ভাবে উন্নয়ন করা প্রয়োজন।এ লক্ষ্যে ইপিডি সৌর প্রযুক্তি উন্নয়নের গবেষণা কাজ হাতে নিয়েছে। এছাড়া ও এ বিভাগে প্রযুক্তি গত ভাবে গুরুত্বপূর্ণ-
- পি. এন. ডায়োড
- নিউক্লিয়ার ডিটেক্টর
- গ্যাস সেন্সর
- প্রোটেকটিভ কোটিং- এ
ব্যবহ্রত কিছু অর্ধ পরিবাহী পদার্থ থিনফিল্ম আকারে প্রস্তুত ও এদের আলোকীয়, তাড়িতিক, আলোক পরিবাহিতা, গঠন মূলক ও উপাদান মূলক বৈশিষ্ট্যায়নের মাধ্যমে এদের গুণ গত মান গবেষণা করা হয়।
পরীক্ষণ পদার্থ বিজ্ঞান বিভাগে photo voltaic device fabrication করতে যে সকল গুরুত্বপূর্ণ অর্ধ পরিবাহীর উপর অধ্যয়ন করা হয়েছে সেগুলো হলোঃ
থিনফিল্ম পদার্থঃ Te, GaAs, GaAs:In, ZnO, ZnO:Al, ZnO:Ga, ZnO:Sb, ZnSe, SnO2, CdS, CdTe, CdSe, ClS, CGS, ZnxCd1-xSe2, Cu(In1-xGax)Se2, AlS, AGS, AgIn1-xGaxSe2, Diamond like Carbon (DLC), In doped SnO2, Al doped SnO2 etc.
বাল্ক পদার্থঃ Ge(p-type), Si(n-type & p-type), GaAs (n-type & p-type)
আলোকীয় পদার্থের বৈশিষ্ট্যায়ন
Dual Beam UV-VIS-NIR Spectrophotometer (Shimadzu, UV-3100, Japan) সাহায্যে ৩০০-২৫০০ nm আলোক তরঙ্গ দৈর্ঘ্যে ফিল্ম এর Transmittance এবং Reflectance উপাত্ত নেয়া হয়।এ উপাত্ত থেকে আলোকীয় শোষন সহগ, Extinction সহগ, Band Gapশক্তি এবং প্রতিসরাঙ্ক নির্ণয় করা হয়।
Band Gap এর সুনির্দিষ্ট নির্বাচনই সোলার সেলের কর্ম দক্ষতা যথেষ্ঠ বাড়াতে পারে যা সৌর বর্ণালী থেকে পাওয়া যায়। সুতরাং সৌর বর্ণালীর সাথে match করে এমন Band Gap এর শোষক পদার্থ বেছে নিতে হবে। এ কারনে পরীক্ষণ পদার্থ বিজ্ঞান বিভাগ বিভিন্ন পদার্থের Band Gap শক্তির অধ্যয়ন ও উন্নয়নে মনোযোগী। Alloy এর মাত্রা নিয়ণ্ত্রন বা deposition parameter যেমন ফিল্মের পুরুত্ব, substrate তাপমাত্রা, annealing তাপ মাত্রা ইত্যাদি নিয়ণ্ত্রন করে অথবা doping এর মাধ্যমে Band Gap শক্তির পরিবর্তন করা হয়।
আলোক পরিবহিতা এবং দক্ষতা বৈশিষ্ট্যায়ন
Modulated Illumination পদ্ধতির সাহায্যে আলোক পরিবাহিতা পরিমাপ করা হয়। এই পরিমাপণ থেকে আমরা Minority Carrier Lifetime, Carrier Mobility, Imperfection বা অশুদ্ধ level নির্ণয় করা হয়।
তাড়িতিক পদার্থের বৈশিষ্ট্যায়ন
তৈরীকৃত থিনফিল্মের কম তাপ মাত্রায় (110-300K) রোধকত্ব ও পরিবাহিতা পরিমাপ করা হয়। কম তাপ মাত্রায় পরিবাহিতা পরিমাপে আমরা Ionization Energy level নির্ণয় করতে পারি।
এ ছাড়া ও আমরা বেশি তাপ মত্রায় (300-573K) পরিবাহিতা পরিমাপ করতে পারি।Hall Effect পরিমাপন থেকে আমরা Carrier Concentration, Hall Mobility, Hall Coefficient এবং পদার্থের ধরন নির্ণয় করতে পারি।
পদার্থের গঠন মূলক বৈশিষ্ট্যায়ন
অত্র বিভাগে প্রস্তুতকৃত থিনফিল্মের গঠন যাচাই এর জন্য বস্তু বিজ্ঞান বিভাগের X- Ray Diffraction (XRD) যন্ত্র ব্যবহার করা হয়। গঠণমূলক পরিমাপণের সাহায্যে তৈরীকৃত পদার্থ কোন ধরণের অর্থাৎ Crystalline or Polycrystalline or Amorphous তা জানা যায়।
উপাদান মূলক বৈশিষ্ট্যায়ন
পরীক্ষণ পদার্থ বিজ্ঞান বিভাগে তৈরীকৃত থিনফিল্মের স্তর ও উপাদান মূলক বৈশিষ্ট্যায়ন প্রয়োজন। আর এই স্তর ও উপাদান মূলক বৈশিষ্ট্যায়ন যথাক্রমে S50 Scanning Electron Microscope (SEM) ও Energy Dispersive X-ray (EDX) যন্ত্রের মাধ্যমে বস্তু বিজ্ঞান বিভাগে সম্পন্ন করা হয়।
শিক্ষা বিষয়ক কার্যক্রমঃ পরীক্ষণ পদার্থ বিজ্ঞান বিভাগ
বিশ্ববিদ্যালয়ের গবেষক ছাত্র-ছাত্রীদের তাদের শিক্ষা কার্যক্রমে সহায় তা দেয়ার জন্য বিভাগের বিজ্ঞানিগণ গবেষণা তত্ত্বাবধানসহ আনুষঙ্গিক গবেষণায় সাহায্য করে থাকেন।
সেবা প্রদানঃ পরীক্ষণ পদার্থ বিজ্ঞান বিভাগ
এ বিভাগ হতে কোন বাণিজ্যিক সেবা প্রদান করা হয় না।
প্রধান গবেষণা সুবিদাঃ পরীক্ষণ পদার্থ বিজ্ঞান বিভাগ
হাইভেকুয়াম কোটিং ইউনিট, ডি.সি. স্পাটারিং ইউনিট, স্পিন কোটার ইউনিট, সান সিমি উলেটর, ইউ ভি-ভিআইএস-এন আই আর রেকরডিং স্পেট্রো ফটোমিটার, হল ইফেক্ট ম্যাযার ম্যান্ট সিস্টেম, ফটোকন্ডাক্টিভিটি ম্যাযার ম্যান্ট সিস্টেম, BwgwmwfwU ম্যাযার ম্যান্ট সিস্টেম, ‡Kwg‡Kj ev_ wW‡cvwRkb wm‡óg, w_K‡bm ম্যাযার ম্যান্ট সিস্টেম ইত্যাদি।
অর্জিত সাফল্য
- SnO2, ZnSe, CdSe, Al doped SnO2, In doped GaAs, In doped SnO2, Cu doped ZnSe, Cu doped CdSe থিন ফিল্ম এর গাঠনিক, আলোকীয় ও তাড়িতিক গুনাবলী নিরূপন ও অধ্যয়ন।
- Zn doped CdTe থিন ফিল্ম এর আলোকীয় এবং surface morphological উপাদান সমূহ বিশ্লেষণ।
- ZnS, Al doped ZnO, CdS থিন ফিল্ম এর গাঠনিক, আলোকীয় এবং surface morphological উপাদান সমূহ অধ্যয়ন।
- ফটোভোল্টেইক প্রয়োগে ব্যবহৃত Buffer layers প্রস্তুত এবং এ সম্পর্কিত একটি পেপার আন্তর্জাতিক জার্নালে Advanced Science, Engineering and Medicine এ প্রকাশিত হয়েছে।
- Front contact layers প্রস্তুতকরন এবং বৈশিষ্ট্যায়ন।
- সোলার সেল এর n-type and p-type layers প্রস্তুতকরন।
